1. 急！！！谁知道硅片化学机械抛光工艺流程
加工流程：
1. 单晶生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀--抛光→清洗→包装
切断：
2. 目的：切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。
3. 设备：内园切割机或外园切割机
4. 主要进口材料：刀片
外径磨削：
5. 目的：获得较为精确的直径。
6. 设备：磨床
平边或V型槽处理：
7. 目的：指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或V型。
8. 设备：磨床及X－RAY绕射仪。
切片：
9. 目的：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片。
10. 设备：内园切割机或线切割机
倒角：
11. 目的：修整成圆弧形，防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。
12. 主要设备：倒角机
研磨：
13. 目的：除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。
14. 设备：研磨机（双面研磨）
15. 主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。
腐蚀：
16. 目的：去除经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层。
17. 方式：（A）酸性腐蚀，（B）碱性腐蚀。
抛光：
18. 目的：改善微缺陷，获得高平坦度晶片。
19. 设备：多片式抛光机，单片式抛光机。
20. 方式：粗抛、精抛。
21. 主要原料：抛光液由具有SiO2的微细悬硅酸胶、铅岩缺及NaOH（或KOH或NH4OH）组成，分为粗抛浆和精抛浆。
清洗：
22. 目的：清除晶片表面所有的污染源。
23. 方式：传统的RCA湿式化学洗净技术。
24. 主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
损耗产生的原因：
A. 多晶硅--单晶硅棒
25. 损耗：埚底料约15％；整形过程中的头尾料约20％；外径磨削工序约10％-13％。
26. 重掺料：多晶硅原料及接近饱和量的杂质放入石英坩埚内溶化而成的料。
27. 重掺料用途：生产低电阻率（电阻率＜0.011欧姆／厘米）的硅片。
B. 单晶硅棒--单晶硅抛光片
28. 损耗：切片工序约34％-35％；其他工序的净损耗约16.67%-19.23％；其他损耗约20％。
29. 损耗原因：刀片质量、硅片厚度、损耗率等。
总损耗率：
30. 多晶硅--单晶硅棒：4英寸约为45．3％，5英寸约为43．8％。
31. 单晶硅棒--单晶硅抛光片：4英寸约为57．4％，5英寸约为56.7％。
2. 双面研磨机与单面磨床工作原理区别
双面研磨机因其独特的设计，上、下两面研磨盘以相反方向旋转，工件在承载装置中执行双重运动，即公转和自转。这种设计减少了磨削阻力，保护工件，同时保证两侧均匀磨削，显着提高生产效率。配备光栅厚度控制系统，加工精度可精细控制，常见于光学玻璃行业，如硅片、蓝宝石衬底和外延片等生产中。
相比之下，单面研磨机的工作原理较为传统，研磨盘逆时针转动，配合修正轮带动工件自转，通过压力磨擦实现研磨。修整机构采用油压悬浮导轨，金刚石刀片精细修整研磨面。然而，单面研磨机仅适用于单面加工，无法实现双面研磨。
在实际应用中，气动式双面研磨机被广泛用于精密零件的平面加工，特别适合大批量生产，其高精度和高效率使其成为液压气动元件、发动机零部件等高精密产品的理想选择，如液压马达部件、制冷压缩机零部件、密封件等。
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